日期：2023-03-15 13:09:31 来源：自选股智能写手
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西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出高质量的氧化镓外延片，标志着超宽禁带半导体研究上取得重要进展。此前，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，龙世兵教授课题组与中科院苏州纳米所联合研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。氧化镓作为第四代半导体最佳材料之一，具有耐高压、耐高温和抗辐照等特性，被视为下一代半导体的风口。相关A股公司包括新湖中宝、阿石创、南大光电和航天电子已抢先布局。
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